Devlopman nan Teknoloji chofaj pou ba-tanperati jete Billet nan oryante Silisyòm Steel

GNEE Steel frèt woule grenn oryante Steel

Nan dènye ane yo, pi gwo oryante Silisyòm asye pwodiksyon plant nan mond lan te atache gwo enpòtans nan amelyorasyon nan pwosesis chofaj Billet Distribisyon an. Metòd tradisyonèl chofaj gwo-tanperati a te ranplase pa chofaj òdinè founo mache + segondè-frekans endiksyon gwo-tanperati chofaj kout tan. An 1996, Nippon Steel nan Bapan Plant te itilize 1150 ~ 1250 degre tanperati ki ba Distribisyon pwosesis chofaj billet yo pwodwi Hi-B asye; Larisi te itilize 1250 ~ 1280 degre pwosesis chofaj dal pou pwodwi asye CGO. Nan endistri modèn fè ak asye, ki se de pli zan pli pouswiv ekonomize enèji, pwoteksyon anviwònman an ak rediksyon pri, pwosesis la chofaj billet Distribisyon ba-tanperati pral siman lajman itilize nan pwodiksyon an nan.oryante Silisyòm asye.

OryanteSilisyòm asyesegondè tanperati Distribisyon Billet chofaj teknoloji

Nan pwosesis pwodiksyon an nan asye Silisyòm oryante, yo nan lòd yo jwenn yon sèl teksti Goss nan rkristalizasyon segondè, yo rele patikil amann ak dispèse faz presipite oswa eleman segregasyon fwontyè grenn jaden ki ka efektivman anpeche kwasans nòmal nan grenn prensipal yo. Efè seksyèl. Yo nan lòd yo asire pwopriyete ki estab mayetik, patikil yo koryas MnS presipite pandan pwosesis la Distribisyon ak kondansasyon yo dwe konplètman fonn. Se poutèt sa, tanperati chofaj nan CGO asye jete billet ak MnS kòm inibitè espesifye kòm 1350-1370 degre, ak tanperati a chofaj nan Hi-B asye ak MnS + AlN kòm inibitè se pi wo pase asye CGO paske nan pi wo Manganèz ak kabòn. kontni pase asye CGO. Tanperati chofaj la espesifye kòm 1380-1400 degre. Lè plak jete a chofe nan yon tanperati ki wo ki pi wo pase 1350 degre, patikil koryas MnS yo konplètman fonn epi apre sa presipite nan yon eta tise byen dispèse pandan pwosesis la woule cho. Tise byen dispèse patikil AlN yo sitou presipite pandan pwosesis nòmalizasyon fèy cho-woule a. Gwosè fèt nan Kiba inisyal grenn apre decarburization recuit pou fe CGO se 15-25 μm, ak sa pou Hi-B fe se 10-15 μm. Sa a ka asire ke rkristalizasyon segondè a konplè epi yo ka jwenn gwo pwopriyete mayetik. Sepandan, chofaj la nan plak jete segondè-tanperati gen dezavantaj sa yo:

Se to pwodiksyon an redwi: pèt la boule ogmante (3.5% -6%) akòz sou-oksidasyon nan dal la jete, ki se apeprè 4 fwa pi wo pase pèt la boule chofaj nan asye kabòn òdinè;

(1) Akimilasyon laitier nan pati anba gwo founo dife a ak pwodiksyon ki ba: pwen k ap fonn nan kouch oksid SiO2 ki fòme a se sèlman 1205 degre, kidonk kouch oksid la fonn nan gwo tanperati chofaj gwo founo dife a ak koule nan fon an. Chofaj mwayèn nan 4 000 billets mande pou netwaye salop la ak chofaj. Apeprè 8,000 yo pral ekzamine, ak kondisyon travay yo pou repare gwo fou a yo trè pòv;

(2) Fatra enèji: Sitou akòz tanperati twòp, konsomasyon gaz ogmante;

(3) Lavi pi kout nan gwo founo dife: pawa a refraktè nan zòn nan tanperati ki wo nan gwo founo dife a ki te sibi tanperati ki wo ak chaj chalè pou yon tan long pral gravman kale epi lavi a ap vin pi kout, ki pa sèlman ogmante antretyen. depans, men tou, diminye pousantaj operasyon gwo fou a;

(4) Segondè pri fabrikasyon: akòz grosisman nan grenn dal la ak oksidasyon nan fwontyè grenn kwen an, teren an cho woule gen tandans fè fant kwen, pousantaj sede a redwi, ak pri fabrikasyon an se menm jan ak fò;

(5) Anpil domaj sifas pwodwi: mal retire echèl oksid sou sifas asye teren cho woule, ki afekte kalite fizik pwodwi a;

(6) Pwopriyete mayetik yo enstab: aliminyòm, Silisyòm ak kabòn nan sifas plak jete yo konbine avèk oksidasyon, diminye kontni an, sa ki lakòz pwopriyete inegal mayetik nan pwodwi a ak deteryorasyon nan karakteristik fim izolasyon yo;

(7) Anplis de sa, akòz grosisman nan grenn dal yo, pwodwi a gen tandans fè defo lineyè amann kristal, ki afekte estabilite mayetik la.

Kounye a, pwosesis jeneral la pou chofe plak jete segondè-tanperati se jan sa a: dalles jete yo premye prechofe nan yon gwo founo chofaj òdinè nan 1200 degre, ak Lè sa a, antre nan yon gwo founo endiksyon segondè-frekans pou tanperati ki wo ak kout tan. chofaj. Pwosesis sa a konsome mwens enèji pase metòd chofaj tradisyonèl wo-tanperati chofaj gwo founo dife a, kò fou a gen yon lavi sèvis ki pi long, diminye akimilasyon salop anba ak fant kwen woule cho, epi redwi depans fabrikasyon.

oryante Silisyòm asye tanperati ki ba Distribisyon billet chofaj teknoloji

Akòz enpèfeksyon yo mansyone pi wo a nan teknoloji a segondè-tanperati Distribisyon chofaj billet, epi li pa fezab nan itilize nan oryante Silisyòm asye ak lòt klas asye yo pataje liy lan pwodiksyon cho woule, li enperatif diminye tanperati a chofaj billet. . Yo nan lòd yo reyalize chofaj ba-tanperati Distribisyon Billet, MnS dwe elimine oswa efè a nan febli MnS dwe elimine nan inibitè a, epi yo dwe itilize AlN, Cu2S, elatriye. Sa a se sitou paske tanperati a solisyon solid nan AlN ak Cu2S se pi ba pase sa yo ki nan MnS, ki se pi apwopriye pou chofaj tanperati ki ba. Koulye a, gen sitou de kalite pwosesis chofaj ba-tanperati Distribisyon Billet yo itilize nan endistri a: youn se inibitè a (yo rele inibitè natirèl) ki nesesè pou fòmasyon nan rkristalizasyon segondè anvan woule frèt, ak lòt la se dekarburization annealing Apre nitruration. , Azòt la konbine avèk aliminyòm orijinal la nan asye a yo fòme amann ak dispèse (Al, Si) N patikil, ak inibitè ki nesesè pou rkristalizasyon segondè (yo rele akeri inibitè) jwenn. Pandan tretman nitrurasyon, kantite nitruration kontwole nan (150-300) X10-6, epi gwosè mwayèn grenn grenn prensipal yo apre dekarburizasyon rkwit kontwole nan 18 ~ 30μm, yo nan lòd yo jwenn yon estrikti pafè segondè rkristalize ak jwenn yon gwo valè B800. Tretman nitrurasyon ak dekarburizasyon rkwit yo fèt nan menm founo rkwit kontinyèl la, se sa ki, apre yo fin rkwit dekarburizasyon, teren an asye pase nan H2+N{2+NH (gaz melanje, kontwole pousantaj oksidasyon PH2O/ PH2 mwens pase oswa egal a 0.04.Anplis de sa, li kapab tou itilize nan metòd pou ajoute nitrure lè kouch ajan an lage MgO sou sifas la nan plak la asye reyalize objektif la nan nitrure.Prosesis la nitrure ka diminye tanperati a chofaj. nan plak la jete a 1150-1200 degre .

Itilizasyon inibitè natirèl pou pwodwi CGO asye ak itilizasyon tou de inibitè natirèl ak inibitè akeri pou pwodwi Hi-B asye se yon lòt fason efikas pou diminye tanperati chofaj plak jete a. Tanperati chofaj plak jete a ka kontwole nan 1250 a 1300 degre.

An rezime, asye Silisyòm oryante kounye a sitou gen de pwosesis pwodiksyon chofaj billet ki ba-tanperati sa yo:

(1) Pwosesis nitriding an reta: se sèlman yon ti kantite aliminyòm ajoute pandan asye, ki se sitou itilize yo pwodwi Hi-B oryante Silisyòm asye. Konpozisyon li mande pou S fraksyon mas<0.007%, and nitriding treatment is carried out after decarburization annealing. The main feature of this process is that the steel strip needs to be nitrided at 750 ℃ ​​X 30s after decarburization annealing. (Al, Si) N particles are formed during the high temperature annealing and heating process, which hinders the growth of the primary grains before the secondary recrystallization occurs. The proper size of the primary grains after decarburization annealing is 18-30 μm (larger than the primary grain size of the high-temperature casting billet heating process). This process can reduce the slab heating temperature to 1150-1200℃, which is the lowest temperature used for slab heating in the current industrial production of oriented silicon steel;

(2) Pwosesis inibitè natirèl Cu2S: Cu2S se inibitè prensipal la nan pwodiksyon asye CGO, ak Cu2S chofe nan 1250 a 1300 degre pou reyalize solisyon solid konplè. Patikil Cu2S amann ak dispèse yo presipite pandan woule cho aji kòm inibitè, pandan y ap rès patikil MnS koryas ki nan fèy la woule cho pa fè sa. Gwosè grenn inisyal la se ant pwosesis chofaj dal wo-tanperati ak pwosesis chofaj ba-tanperati (15-25μm). Nan pwodiksyon an nan Hi-B asye, MnS + AlN yo itilize kòm yon inibitè. Se fèy cho-woule a souvan trete pou presipite patikil AIN amann. Apre dekarburizasyon ak rkwit, yo souvan itilize nitrure pou ranfòse kapasite repwesyon an. Teknoloji sa a ka diminye tanperati chofaj nan billet jete a 1250 a 1300 degre.

Konklizyon

Li se nye ke teknoloji a wo-tanperati chofaj billet se yon etap enpòtan enpòtan nan istwa a nan devlopman nan oryante Silisyòm asye. Li se yon pwosesis ki gen matirite ki ka stab jwenn gwo pwopriyete mayetik apre moun yo fin reyalize wòl inibitè yo. Sepandan, nan dènye ane yo, ak mank de ekipman pou enèji ogmante ak kondisyon yo ogmante pou pwoteksyon anviwònman an ak rediksyon pri, enpèfeksyon yo nan chofaj segondè-tanperati yo te vin pi plis ak plis enpòtan. Bese tanperati chofaj dal te vin enkyetid gwo manifaktirè asye Silisyòm oryante nan mond lan. Otspo devlopman teknoloji. Avèk grandisan kontinyèl rechèch la, teknoloji chofaj ba-tanperati Distribisyon billet yo pral pi lajman ankouraje ak aplike, ki pral jwe yon wòl pozitif nan pwomosyon pwodiksyon an ak devlopman nan oryante Silisyòm asye.